기존 재고 있음 MOSFET 트랜지스터 다이오드 사이리스터 SOT-223 BSP125H6327 IC 칩 전자 부품
제품 속성
| 유형 | 설명 |
| 범주 | 개별 반도체 제품 |
| 제조업체 | 인피니언 테크놀로지스 |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) 컷테이프(CT) Digi-Reel® |
| 제품상태 | 활동적인 |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 600V |
| 전류 – 연속 배수(Id) @ 25°C | 120mA(타) |
| 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 4.5V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45옴 @ 120mA, 10V |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 2.3V @ 94μA |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 25V에서 150pF |
| FET 기능 | - |
| 전력 소비(최대) | 1.8W(타) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT223-4 |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
| 기본 제품 번호 | BSP125 |
문서 및 미디어
| 리소스 유형 | 링크 |
| 데이터시트 | BSP125 |
| 기타 관련 문서 | 부품번호 안내 |
| 특별 상품 | 데이터 처리 시스템 |
| HTML 데이터시트 | BSP125 |
| 시뮬레이션 모델 | MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V 및 800V N채널 스파이스 모델 |
환경 및 수출 분류
| 기인하다 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준(MSL) | 1(무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않음 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
추가 리소스
| 기인하다 | 설명 |
| 다른 이름들 | SP001058576 BSP125H6327XTSA1TR BSP125H6327XTSA1CT BSP125H6327XTSA1DKR |
| 표준 패키지 | 1,000 |
트랜지스터는 증폭기나 전자적으로 제어되는 스위치에 일반적으로 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 컴퓨터, 휴대폰 및 기타 모든 현대 전자 회로의 작동을 조절하는 기본 구성 요소입니다.
빠른 응답 속도와 높은 정확도로 인해 트랜지스터는 증폭, 스위칭, 전압 조정기, 신호 변조 및 발진기를 포함한 다양한 디지털 및 아날로그 기능에 사용될 수 있습니다.트랜지스터는 개별적으로 패키징할 수도 있고, 집적 회로의 일부로 1억 개 이상의 트랜지스터를 수용할 수 있는 매우 작은 영역에 패키징할 수도 있습니다.
전자관과 비교하여 트랜지스터는 다음과 같은 많은 장점을 가지고 있습니다.
1.구성요소에는 소비가 없습니다.
아무리 좋은 튜브라도 음극 원자의 변화와 만성적인 공기 누출로 인해 점차 열화됩니다.기술적인 이유로 트랜지스터는 처음 만들어졌을 때 동일한 문제를 안고 있었습니다.재료의 발전과 여러 측면의 개선으로 트랜지스터는 일반적으로 전자 튜브보다 수명이 100~1,000배 더 깁니다.
2. 전력 소모가 거의 없음
그것은 전자관의 1/10 또는 수십에 불과합니다.전자관처럼 자유전자를 생성하기 위해 필라멘트를 가열할 필요가 없습니다.트랜지스터 라디오는 몇 개의 건전지만 있으면 1년에 6개월 동안 청취할 수 있는데, 이는 진공관 라디오에서는 하기 힘든 일입니다.
3.예열할 필요가 없습니다.
켜자마자 작업하세요.예를 들어, 트랜지스터 라디오는 켜자마자 꺼지고, 트랜지스터 텔레비전은 켜지자마자 영상을 설정합니다.진공관 장비는 그렇게 할 수 없습니다.부팅 후 잠시 기다려 소리가 들리면 사진을 확인하세요.분명히 군사, 측정, 기록 등에서 트랜지스터는 매우 유리합니다.
4. 강력하고 신뢰할 수 있습니다.
전자관보다 100배 더 높은 신뢰성, 내충격성, 내진동성은 전자관과 비교할 수 없습니다.또한, 트랜지스터의 크기는 전자관 크기의 10분의 1~100분의 1에 불과하고 열 방출이 거의 없어 작고 복잡하며 안정적인 회로를 설계하는 데 사용할 수 있습니다.트랜지스터의 제조 공정은 정밀하지만 공정이 간단하여 부품 실장 밀도를 높이는 데 도움이 됩니다.
