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  • IPD031N06L3G 새로운 오리지널 전자 부품 ic 칩 MCU BOM 서비스 재고 있음 IPD031N06L3G

    IPD031N06L3G 새로운 오리지널 전자 부품 ic 칩 MCU BOM 서비스 재고 있음 IPD031N06L3G

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 60V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 100A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.1 mΩ @ 100A...
  • IMZA65R072M1H IC 칩 트랜지스터 전자 부품 집적 회로 커패시터 IMZA65R072M1H

    IMZA65R072M1H IC 칩 트랜지스터 전자 부품 집적 회로 커패시터 IMZA65R072M1H

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 패키지 튜브 제품 상태 능동 FET 유형 - 기술 - 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 28A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, Min Rds On) - Rds On(최대) @ Id, Vgs - Vgs(th)(최대) @ Id - Vgs(최대) - FET 기능 - 전력 손실(최대) - 작동 온도 - 기본 제품 번호 IMZA6.. .
  • 견적 BOM 목록 IC ​​IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N 집적 회로

    견적 BOM 목록 IC ​​IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N 집적 회로

    제품 속성 유형 설명 범주 개별 반도체 제품 다이오드 – 정류기 – 어레이 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Rapid 2 패키지 튜브 제품 상태 능동 다이오드 구성 1쌍 공통 음극 다이오드 유형 표준 전압 – DC 역(Vr)(최대) 650V 전류 – 평균 정류( Io)(다이오드당) 15A 전압 – 순방향(Vf)(최대) @ 2.2V @ 15A 빠른 복구 =< 500ns, > 200mA(Io) 역방향 복구...
  • KWM 기존 BSZ100 트랜지스터 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS 집적 회로 IC 칩 재고 있음

    KWM 기존 BSZ100 트랜지스터 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS 집적 회로 IC 칩 재고 있음

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 60V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 40A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC 칩 새로운 고유 집적 회로

    AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC 칩 새로운 고유 집적 회로

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 25V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Ta), 40A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ID, Vgs 6mΩ...
  • (재고) BSS138NH6327 신규 및 기존 전자 부품 핫 제품

    (재고) BSS138NH6327 신규 및 기존 전자 부품 핫 제품

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 60V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 230mA(Ta) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.5 옴 @ 230mA...
  • 기존 재고 있음 MOSFET 트랜지스터 다이오드 사이리스터 SOT-223 BSP125H6327 IC 칩 전자 부품

    기존 재고 있음 MOSFET 트랜지스터 다이오드 사이리스터 SOT-223 BSP125H6327 IC 칩 전자 부품

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 600V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 120mA(Ta) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs 45Ohm @120mA...
  • 새로운 오리지널 MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI

    새로운 오리지널 MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 30V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 23A(Ta), 100A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ID, Vgs 2.8m...
  • 새로운 재고 집적 회로 TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic 칩

    새로운 재고 집적 회로 TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic 칩

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 100V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 8.8A(Ta), 42A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On(최대) @ID, Vgs 16m오...
  • 새롭고 독창적인 BSC100N06LS3G 집적 회로

    새롭고 독창적인 BSC100N06LS3G 집적 회로

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 60V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Ta), 50A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On(최대) @ID, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic 칩 본래 전자 부품

    BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic 칩 본래 전자 부품

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 100V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • AQX BSC060N10NS3G 새롭고 독창적인 집적 회로 IC 칩 BSC060N10NS3G 제품 속성

    AQX BSC060N10NS3G 새롭고 독창적인 집적 회로 IC 칩 BSC060N10NS3G 제품 속성

    제품 속성 유형 설명 범주 이산 반도체 제품 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ 패키지 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® 제품 상태 활성 FET 유형 N-채널 기술 MOSFET(금속 산화물 ) 드레인-소스 전압(Vdss) 100V 전류 – 연속 드레인(Id) @ 25°C 14.9A(Ta), 90A(Tc) 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On(최대) @ID, Vgs 6mOh...