SN74CB3Q3245RGYR 100% 신규 및 기존 DC-DC 변환기 및 스위칭 레귤레이터 칩
제품 속성
| 유형 | 설명하다 |
| 범주 | 신호 스위처, 멀티플렉서, 디코더 |
| 제조업체 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 시리즈 | 74CB |
| 포장하다 | 테이프 및 롤링 패키지(TR) 절연테이프패키지(CT) Digi-Reel® |
| 상품상태 | 활동적인 |
| 유형 | 버스 스위치 |
| 회로 | 8×1:1 |
| 독립회로 | 1 |
| 전류 - 출력 높음, 낮음 | - |
| 전압 공급원 | 단일 전원 공급 장치 |
| 전압 - 전원 공급 장치 | 2.3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 설치 유형 | 표면접착형 |
| 패키지/하우징 | 20-VFQFN 노출 패드 |
| 공급업체 구성요소 캡슐화 | 20-VQFN(3.5x4.5) |
| 제품 마스터 번호 | 74CB3Q3245 |
제품소개
SN74CB3Q3245는 패스 트랜지스터의 게이트 전압을 높이기 위해 차지 펌프를 활용하는 고대역폭 FET 버스 스위치로, 낮고 평탄한 ON 상태 저항(ron)을 제공합니다.낮고 평탄한 ON 상태 저항은 전파 지연을 최소화하고 데이터 입력/출력(I/O) 포트에서 레일 간 스위칭을 지원합니다.또한 이 장치는 데이터 버스의 용량성 로딩과 신호 왜곡을 최소화하기 위해 낮은 데이터 I/O 정전용량을 특징으로 합니다.고대역폭 애플리케이션을 지원하도록 특별히 설계된 SN74CB3Q3245는 광대역 통신, 네트워킹 및 데이터 집약적 컴퓨팅 시스템에 이상적으로 적합한 최적화된 인터페이스 솔루션을 제공합니다.
SN74CB3Q3245는 단일 출력 활성화(OE\) 입력을 갖춘 8비트 버스 스위치로 구성됩니다.OE\가 낮으면 버스 스위치가 켜지고 A 포트가 B 포트에 연결되어 포트 간 양방향 데이터 흐름이 가능해집니다.OE\가 높으면 버스 스위치가 꺼지고 A와 B 포트 사이에 높은 임피던스 상태가 존재합니다.
이 장치는 Ioff를 사용하는 부분 전원 차단 애플리케이션용으로 완벽하게 지정되었습니다.Ioff 회로는 전원이 차단될 때 장치를 통한 전류 역류로 인한 손상을 방지합니다.장치는 전원이 꺼진 동안 격리됩니다.
전원을 켜거나 끄는 동안 높은 임피던스 상태를 보장하려면 OE\를 풀업 저항을 통해 VCC에 연결해야 합니다.저항의 최소값은 드라이버의 전류 싱킹 기능에 따라 결정됩니다.
제품 특징
- 고대역폭 데이터 경로(최대 500MHz↑)
- IDTQS3VH384 장치와 동일
- 장치 전원이 켜지거나 꺼지는 5V 허용 I/O
- 작동 범위에 걸쳐 낮고 평탄한 온 상태 저항(ron) 특성(ron = 4Ω일반)
- 데이터 I/O 포트의 레일-투-레일 스위칭전파 지연이 거의 0인 양방향 데이터 흐름낮은 입력/출력 정전 용량으로 부하 및 신호 왜곡 최소화(Cio(OFF) = 일반 3.5pF)
- 3.3V VCC를 사용한 0~5V 스위칭
- 2.5V VCC를 사용한 0~3.3V 스위칭
- 빠른 스위칭 주파수(fOE\ = 최대 20MHz)
- 데이터 및 제어 입력으로 언더슈트 클램프 다이오드 제공
- 낮은 전력 소비(ICC = 1mA(통상))
- 2.3V ~ 3.6V의 VCC 작동 범위
- 데이터 I/O는 0~5V 신호 레벨(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)을 지원합니다.
- 제어 입력은 TTL 또는 5V/3.3-V CMOS 출력으로 구동 가능
- Ioff는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원합니다.
- 래치업 성능은 JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA를 초과합니다.
- JESD 22에 따라 테스트된 ESD 성능은 디지털 및 아날로그 애플리케이션을 모두 지원합니다: PCI 인터페이스, 차동 신호 인터페이스, 메모리 인터리빙, 버스 절연, 저왜곡 신호 게이팅
- 2000-V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
- 1000V 충전 장치 모델(C101)
제품 장점
- 열 관리 및 과전압 보호
열 관리는 배터리 충전기 설계자에게 또 다른 주요 과제입니다.모든 충전기 칩은 충전 과정에서 열 방출로 인해 전압 강하를 경험합니다.배터리 손상이나 시스템 종료를 방지하기 위해 대부분의 충전기에는 열 축적을 관리하는 일정 형태의 제어 메커니즘이 통합되어 있습니다.최신 장치는 보다 정교한 피드백 기술을 사용하여 다이 온도를 지속적으로 모니터링하고 충전 전류를 동적으로 조정하거나 주변 온도 변화에 비례하는 속도로 계산하여 조정합니다.이 내장된 지능을 통해 전류 충전기 칩은 열 평형에 도달하고 다이 온도 상승이 멈출 때까지 충전 전류를 점진적으로 줄일 수 있습니다.이 기술을 사용하면 충전기는 시스템을 종료하지 않고도 가능한 최대 전류에서 배터리를 지속적으로 충전할 수 있으므로 배터리 충전 시간이 단축됩니다.오늘날 대부분의 최신 장치에는 일반적으로 과전압 보호 메커니즘도 추가됩니다.
충전기 BQ25616JRTWR은 배터리 음의 온도 계수 서미스터 모니터링, 충전 안전 타이머, 과전압 및 과전류 보호 등 배터리 충전 및 시스템 작동을 위한 다양한 안전 기능을 제공합니다.열 조절은 접합 온도가 110°C를 초과하면 충전 전류를 감소시킵니다.STAT 출력은 충전 상태와 오류 상태를 보고합니다.
응용 시나리오
배터리 충전기 칩은 일종의 전원 관리 칩에 속하며 적용 범위가 매우 넓습니다.전원 관리 칩의 개발은 전체 기계의 성능을 향상시키는 데 중요하며, 전원 관리 칩의 선택은 시스템 요구 사항과 직접적인 관련이 있는 반면, 디지털 전원 관리 칩의 개발은 여전히 비용 장벽을 넘어야 합니다.
BQ25616/616J는 단일 셀 리튬 이온 및 리튬 폴리머 배터리를 위한 고집적 3A 스위치 모드 배터리 충전 관리 및 시스템 전원 경로 관리 장치입니다.이 솔루션은 시스템과 시스템 간 입력 역차단 FET(RBFET, Q1), 하이사이드 스위칭 FET(HSFET, Q2), 로우사이드 스위칭 FET(LSFET, Q3) 및 배터리 FET(BATFET, Q4)와 고도로 통합되어 있습니다. 배터리.낮은 임피던스 전력 경로는 스위치 모드 작동 효율성을 최적화하고, 배터리 충전 시간을 줄이며, 방전 단계에서 배터리 작동 시간을 연장합니다.
BQ25616/616J는 리튬 이온 및 리튬 폴리머 배터리를 위한 고집적 3A 스위치 모드 배터리 충전 관리 및 시스템 전원 경로 관리 장치입니다.이 제품은 스피커, 산업용 및 의료용 휴대용 장치를 포함한 광범위한 애플리케이션을 위한 높은 입력 전압 지원으로 빠른 충전 기능을 제공합니다.낮은 임피던스 전력 경로는 스위치 모드 작동 효율성을 최적화하고, 배터리 충전 시간을 줄이며, 방전 단계에서 배터리 작동 시간을 연장합니다.입력 전압 및 전류 조정은 배터리에 최대 충전 전력을 제공합니다.
이 솔루션은 시스템과 시스템 간 입력 역차단 FET(RBFET, Q1), 하이사이드 스위칭 FET(HSFET, Q2), 로우사이드 스위칭 FET(LSFET, Q3) 및 배터리 FET(BATFET, Q4)와 고도로 통합되어 있습니다. 배터리.또한 단순화된 시스템 설계를 위해 하이사이드 게이트 드라이브용 부트스트랩 다이오드를 통합합니다.하드웨어 설정 및 상태 보고서는 충전 솔루션 설정을 위한 간편한 구성을 제공합니다.
