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제품

IPD068P03L3G 새로운 오리지널 전자 부품 IC 칩 MCU BOM 서비스 재고 있음 IPD068P03L3G

간단한 설명:


제품 상세 정보

제품 태그

제품 속성

유형 설명
범주 개별 반도체 제품

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체 인피니언 테크놀로지스
시리즈 옵티모스™
패키지 테이프 및 릴(TR)

컷테이프(CT)

Digi-Reel®

제품상태 활동적인
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인-소스 전압(Vdss) 30V
전류 – 연속 배수(Id) @ 25°C 70A(Tc)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6.8m옴 @ 70A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id 2V @ 150μA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 91nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 7720pF @ 15V
FET 기능 -
전력 소비(최대) 100W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 표면 실장
공급자 장치 패키지 PG-TO252-3
패키지/케이스 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63
기본 제품 번호 IPD068

문서 및 미디어

리소스 유형 링크
데이터시트 IPD068P03L3G
기타 관련 문서 부품번호 안내
특별 상품 데이터 처리 시스템
HTML 데이터시트 IPD068P03L3G
EDA 모델 Ultra Librarian의 IPD068P03L3GATMA1

환경 및 수출 분류

기인하다 설명
RoHS 상태 ROHS3 준수
수분 민감도 수준(MSL) 1(무제한)
REACH 상태 REACH 영향을 받지 않음
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

추가 리소스

기인하다 설명
다른 이름들 IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

표준 패키지 2,500

트랜지스터

트랜지스터는반도체 장치사용더욱 상세히하다또는스위치전기 신호와.트랜지스터는 현대의 기본 구성 요소 중 하나입니다.전자 제품.[1]으로 구성되어 있습니다.반도체 재료, 일반적으로 최소 3개 이상터미널전자 회로에 연결하기 위한 것입니다.ㅏ전압또는현재의한 쌍의 트랜지스터 단자에 적용되는 전류는 다른 한 쌍의 단자를 통해 흐르는 전류를 제어합니다.제어(출력) 전력이 제어(입력) 전력보다 높을 수 있으므로 트랜지스터는 신호를 증폭할 수 있습니다.일부 트랜지스터는 개별적으로 포장되어 있지만 더 많은 트랜지스터가 내장되어 있습니다.집적 회로.

오스트리아-헝가리 물리학 자 줄리어스 에드가 릴리엔펠트이라는 개념을 제안했다.전계 효과 트랜지스터그러나 당시에는 실제로 작업 장치를 만드는 것이 불가능했습니다.[2]최초로 제작된 작업 장치는점접촉 트랜지스터1947년 미국 물리학자들이 발명한존 바딘그리고월터 브래튼밑에서 일하면서윌리엄 쇼클리~에벨 연구소.세 사람은 1956년을 공유했다.노벨 물리학상그들의 성취를 위해.[삼]가장 널리 사용되는 트랜지스터 유형은금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 의해 발명되었습니다.모하메드 아탈라그리고강다원1959년 벨 연구소에서.[4][5][6]트랜지스터는 전자 분야에 혁명을 일으켰고 더 작고 더 저렴한 전자 제품의 길을 열었습니다.라디오,계산기, 그리고컴퓨터, 다른 것들 사이.

대부분의 트랜지스터는 매우 순수한 재료로 만들어집니다.규소, 그리고 일부는게르마늄, 그러나 특정 다른 반도체 재료가 때때로 사용됩니다.트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터에서 한 종류의 전하 캐리어만을 가질 수도 있고, 전계 효과 트랜지스터에서는 두 종류의 전하 캐리어를 가질 수도 있습니다.바이폴라 접합 트랜지스터장치.와 비교하면진공관, 트랜지스터는 일반적으로 더 작고 작동하는 데 더 적은 전력이 필요합니다.특정 진공관은 매우 높은 작동 주파수 또는 높은 작동 전압에서 트랜지스터보다 장점이 있습니다.다양한 유형의 트랜지스터가 여러 제조업체에서 표준화된 사양에 따라 제작됩니다.


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