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제품

IRF9540NSTRLPBF 신규 및 기존 집적 회로 전자 부품

간단한 설명:


제품 상세 정보

제품 태그

제품 속성

 

유형 설명
범주 개별 반도체 제품

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체 인피니언 테크놀로지스
시리즈 HEXFET®
패키지 테이프 및 릴(TR)

컷테이프(CT)

Digi-Reel®

제품상태 활동적인
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인-소스 전압(Vdss) 100V
전류 – 연속 배수(Id) @ 25°C 23A(TC)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 117m옴 @ 14A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id 4V @ 250μA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 25V에서 1450pF
FET 기능 -
전력 소비(최대) 3.1W(Ta), 110W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 표면 실장
공급자 장치 패키지 D2PAK
패키지/케이스 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB
기본 제품 번호 IRF9540

문서 및 미디어

리소스 유형 링크
데이터시트 IRF9540NS/L
기타 관련 문서 IR 부품 번호 시스템
제품 교육 모듈 고전압 집적 회로(HVIC 게이트 드라이버)
특별 상품 데이터 처리 시스템
HTML 데이터시트 IRF9540NS/L
EDA 모델 Ultra Librarian의 IRF9540NSTRLPBF

SnapEDA의 IRF9540NSTRLPBF

시뮬레이션 모델 IRF9540NL 세이버 모델

환경 및 수출 분류

기인하다 설명
RoHS 상태 ROHS3 준수
수분 민감도 수준(MSL) 1(무제한)
REACH 상태 REACH 영향을 받지 않음
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

IRF9540NS

-100V 단일 P채널 IR MOSFET(D2-Pak 패키지)

이익

  • 넓은 SOA를 위한 평면 셀 구조
  • 유통 파트너의 가장 광범위한 가용성에 최적화됨
  • JEDEC 표준에 따른 제품 인증
  • 100kHz 미만 스위칭 애플리케이션에 최적화된 실리콘
  • 업계 표준 표면 실장 전원 패키지
  • 고전류 전달 기능 패키지(최대 195A, 다이 크기에 따라 다름)
  • 웨이브 솔더링 가능

 개별 반도체 장치

다양한 반도체가 필수 회로의 일부로 매진되는 경우가 많으며, 종종 IC에서 매진됩니다.이러한 회로는 일반적으로 장치에서 연속적인 기능과 특징을 수행할 수 있어 중요한 개별 반도체와 크게 구별됩니다.

대부분의 반도체는 오늘날 세계에서 회로의 필수 부품으로 구입됩니다.그러나 일부 응용 분야에서는 개별 반도체가 엔지니어링 요구 사항에 가장 적합한 솔루션을 제공합니다.따라서 이는 시장의 전자 부품에서도 중요한 역할을 합니다.네, 그 말 잘 들으셨죠!

주요 예로는 사이리스터, 트랜지스터, 정류기, 다이오드 및 이러한 효율적인 장치의 다양한 버전이 있습니다.집적 회로의 물리적 복잡성을 갖고 있지만 달링턴 트랜지스터와 같은 전자 기능을 수행하는 다른 반도체 구조는 일반적으로 개별 반도체 기계로 간주됩니다.

개별 반도체 장치 |최고급 혜택

매우 멋진 개별 반도체 장치에는 최고의 이점이 많이 있습니다.그 중 일부는 다음과 같습니다.

  • 모든 개별 반도체 장치는 매우 작고 가볍습니다.
  • 낮은 전력 소비와 적절한 크기로 인해 신뢰성이 높습니다.
  • 편리하게 교체할 수 있습니다.그러나 정전 용량과 기생 효과가 없기 때문에 교체가 다소 어렵습니다.
  • 회로 구성 요소 간에는 약간의 온도 차이가 있습니다.
  • 많은 소신호 작업에 가장 적합합니다.
  • 이 장치는 매우 작고 적절한 크기로 인해 전력 소비를 줄입니다.

개별 반도체는 다른 부분으로 나눌 수 없는 놀라운 기능을 수행합니다.예를 들어, IC에는 다양한 작업을 독립적으로 쉽게 수행할 수 있는 다이오드, 트랜지스터 및 기타 필수 구성 요소가 포함될 수 있습니다.또한 뛰어난 회로와 함께 작동하고 많은 기능을 수행할 수 있습니다.

반대로, 개별 반도체는 단일 기능을 수행할 수 있습니다.예를 들어, 트랜지스터는 항상 예시적인 트랜지스터이며 트랜지스터와 관련된 기능만 수행할 수 있습니다.

이 기사에는 장점, 단점, 최고 수준의 예를 포함한 모든 필수 정보가 포함되어 있으므로 개별 반도체 장치에 완전히 익숙해질 수 있습니다.


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